Silicijev karbid SiC

Opis

Rezine SiC iz silicijevega karbida, je izredno trda, sintetično proizvedena kristalna spojina silicija in ogljika z metodo MOCVD in razstavljanjegova edinstvena široka pasovna vrzel in druge ugodne lastnosti, kot so nizek koeficient toplotnega raztezanja, višja delovna temperatura, dobro odvajanje toplote, manjše preklopne in prevodne izgube, večja energetska učinkovitost, visoka toplotna prevodnost in močnejša prebojna moč električnega polja, kot tudi bolj koncentrirani tokovi stanje.Silicijev karbid SiC pri Western Minmetals (SC) Corporation je na voljo v velikosti premera 2″ 3' 4″ in 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm), z n-tipom, polizolacijskimi ali navideznimi rezinami za industrijsko uporabo. in laboratorijska uporaba. Vsaka prilagojena specifikacija je popolna rešitev za naše stranke po vsem svetu.

Aplikacije

Visokokakovostna rezina 4H/6H iz silicijevega karbida SiC je popolna za proizvodnjo številnih vrhunskih hitrih, visokotemperaturnih in visokonapetostnih elektronskih naprav, kot so Schottkyjeve diode in SBD, visokozmogljivi preklopni MOSFET-ji in JFET-ji itd. Je tudi zaželen material pri raziskavah in razvoju bipolarnih tranzistorjev in tiristorjev z izoliranimi vrati.Kot izjemen polprevodniški material nove generacije rezine iz silicijevega karbida SiC služijo tudi kot učinkovit razpršilec toplote v visokozmogljivih komponentah LED ali kot stabilen in priljubljen substrat za gojenje plasti GaN v korist prihodnjih ciljnih znanstvenih raziskav.

Povprašajte zdaj

Podrobnosti

Oznake

Tehnična specifikacija

Silicijev karbid SiC

Silicijev karbid SiCpri Western Minmetals (SC) Corporation je mogoče zagotoviti v velikosti premera 2″ 3' 4“ in 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm), z n-tipom, polizolacijskimi ali navideznimi rezinami za industrijsko in laboratorijsko uporabo. Vsaka prilagojena specifikacija je popolna rešitev za naše stranke po vsem svetu.

Linearna formula	SiC
Molekularna teža	40.1
Kristalna struktura	Wurtzite
Videz	Trdna
Tališče	3103±40K
Vrelišče	N/A
Gostota pri 300K	3,21 g/cm3³
Energijska vrzel	(3,00-3,23) eV
Notranja upornost	>1E5 Ω-cm
Številka CAS	409-21-2
Številka ES	206-991-8

št.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Velikost SiC	2"	3"	4"	6"
2	Premer mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Metoda rasti	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Vrsta prevodnosti	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Upornost Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientacija	0°±0,5°;4,0° proti <1120>
7	Debelina μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Lokacija primarnega stanovanja	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Primarna ploščata dolžina mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Lokacija sekundarnega stanovanja	Silikon obrnjena navzgor: 90°, v smeri urinega kazalca od osnovne ravnine ±5,0°
11	Sekundarna ploščata dolžina mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm maks	15	15	15	15
13	Lok μm maks	40	40	40	40
14	Deformacija μm maks	60	60	60	60
15	Izključitev robov mm maks	1	2	3	3
16	Mikrocevka Gostota cm-2	<5, industrijski;<15, laboratorij;<50, lutka
17	Izpah cm-2	<3000, industrijski;<20000, laboratorij;<500000, lutka
18	Površinska hrapavost nm maks	1 (polirano), 0,5 (CMP)
19	Razpoke	Brez, za industrijsko kakovost
20	Heksagonalne plošče	Brez, za industrijsko kakovost
21	praske	≤3 mm, skupna dolžina je manjša od premera substrata
22	Robni čipi	Brez, za industrijsko kakovost
23	Pakiranje	Enojna posoda za rezine, zaprta v aluminijasto kompozitno vrečko.

Silicijev karbid SiC 4H/6Hvisokokakovostna rezina je popolna za proizvodnjo številnih vrhunskih hitrih, visokotemperaturnih in visokonapetostnih elektronskih naprav, kot so Schottkyjeve diode in SBD, visokozmogljivi preklopni MOSFET-ji in JFET-ji itd. Je tudi zaželen material v raziskave in razvoj bipolarnih tranzistorjev in tiristorjev z izoliranimi vrati.Kot izjemen polprevodniški material nove generacije rezine iz silicijevega karbida SiC služijo tudi kot učinkovit razpršilec toplote v visokozmogljivih komponentah LED ali kot stabilen in priljubljen substrat za gojenje plasti GaN v korist prihodnjih ciljnih znanstvenih raziskav.