Galijev antimonid GaSb

Opis

Galijev antimonid GaSb, polprevodnik spojin skupine III–V z mrežno strukturo cinkove mešanice, je sintetiziran z elementi 6N 7N galija visoke čistosti in antimona ter vzgojen v kristal z metodo LEC iz usmerjeno zamrznjenega polikristalnega ingota ali metodo VGF z EPD<1000 cm^-3.GaSb rezino je mogoče narezati in nato izdelati iz enokristalnega ingota z visoko enakomernostjo električnih parametrov, edinstveno in konstantno mrežno strukturo ter nizko gostoto napak in najvišjim lomnim količnikom kot večina drugih nekovinskih spojin.GaSb je mogoče obdelati s širokim izborom v natančni ali drugačni orientaciji, nizki ali visoki dopirani koncentraciji, dobri površinski obdelavi in za epitaksialno rast MBE ali MOCVD.Substrat iz galijevega antimonida se uporablja v najsodobnejših fotooptičnih in optoelektronskih aplikacijah, kot so izdelava fotodetektorjev, infrardečih detektorjev z dolgo življenjsko dobo, visoko občutljivostjo in zanesljivostjo, fotoodpornih komponent, infrardečih LED in laserjev, tranzistorjev, toplotnih fotovoltaičnih celic. in termo-fotovoltaični sistemi.

Dostava

Galijev antimonid GaSb pri Western Minmetals (SC) Corporation se lahko ponudi z n-tipom, p-tipom in nedopirano polizolacijsko prevodnostjo v velikosti 2” 3” in 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) premera, usmerjenost <111> ali <100>, in s končno obdelavo površine rezin iz izrezanih, jedkanih, poliranih ali visokokakovostnih končnih obdelav, pripravljenih za epitaksijo.Vse rezine so posamično lasersko označene za identiteto.Medtem se polikristalni galijev antimonid GaSb na zahtevo prilagodi tudi popolni rešitvi.

Povprašajte zdaj

Podrobnosti

Oznake

Tehnična specifikacija

Galijev antimonid

GaSb

Galijev antimonid GaSbsubstrat se uporablja v najsodobnejših fotooptičnih in optoelektronskih aplikacijah, kot so izdelava fotodetektorjev, infrardečih detektorjev z dolgo življenjsko dobo, visoko občutljivostjo in zanesljivostjo, fotorezistične komponente, infrardeče LED in laserji, tranzistorji, toplotne fotovoltaične celice in termo - fotovoltaični sistemi.

	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Velikost	2"	3"	4"
2	Premer mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasti	LEC	LEC	LEC
4	Prevodnost	P-tip/dopiran z Zn, nedopiran, N-tip/dopiran s Te
5	Orientacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debelina μm	500±25	600±25	800±25
7	Usmerjenost Ravno mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikacija Ploščat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilnost cm2/Vs	200-3500 ali po potrebi
10	Koncentracija nosilca cm-3	(1-100)E17 ali po potrebi
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Lok μm maks	15	15	15
13	Deformacija μm maks	20	20	20
14	Gostota dislokacij cm-2 max	500	1000	2000
15	Površinska obdelava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakiranje	Enojna posoda za rezine, zaprta v aluminijasto vrečko.

Linearna formula	GaSb
Molekularna teža	191,48
Kristalna struktura	Cinkova mešanica
Videz	Siva kristalinična trdna snov
Tališče	710°C
Vrelišče	N/A
Gostota pri 300K	5,61 g/cm3³
Energijska vrzel	0,726 eV
Notranja upornost	1E3 Ω-cm
Številka CAS	12064-03-8
Številka ES	235-058-8

Galijev antimonid GaSbpri Western Minmetals (SC) Corporation je mogoče ponuditi z n-tipom, p-tipom in nedopirano polizolacijsko prevodnostjo v velikosti 2” 3” in 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) premera, usmerjenost <111> ali <100 >, in s končno obdelavo površine rezin iz izrezanih, jedkanih, poliranih ali visokokakovostnih zaključkov, pripravljenih za epitaksijo.Vse rezine so posamično lasersko označene za identiteto.Medtem se polikristalni galijev antimonid GaSb na zahtevo prilagodi tudi popolni rešitvi.