Galijev nitrid GaN

Opis

Galijev nitrid GaN, CAS 25617-97-4, molekulska masa 83,73, wurtzitna kristalna struktura, je binarna spojina polprevodnika z neposrednim pasovnim presledkom skupine III-V, vzgojena z visoko razvito amonotermalno procesno metodo.Galijev nitrid GaN, za katerega so značilni popolna kristalna kakovost, visoka toplotna prevodnost, visoka mobilnost elektronov, visoko kritično električno polje in širok pas, ima zaželene lastnosti v optoelektroniki in senzorskih aplikacijah.

Aplikacije

Galijev nitrid GaN je primeren za proizvodnjo najsodobnejših visokohitrostnih in zmogljivih svetlečih svetlečih diod LED, komponent laserskih in optoelektronskih naprav, kot so zeleni in modri laserji, tranzistorjev z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT) in izdelkov z visoko močjo. in predelovalna industrija visokotemperaturnih naprav.

Dostava

Galijev nitrid GaN pri Western Minmetals (SC) Corporation je mogoče zagotoviti v velikosti okrogle rezine 2 in ” ali 4 ” (50 mm, 100 mm) in kvadratne rezine 10 × 10 ali 10 × 5 mm.Vsaka velikost in specifikacija po meri je popolna rešitev za naše stranke po vsem svetu.

Povprašajte zdaj

Podrobnosti

Oznake

Tehnična specifikacija

Galijev nitrid GaN

Galijev nitrid GaNpri Western Minmetals (SC) Corporation je mogoče zagotoviti v velikosti okrogle rezine 2 inča ” ali 4 ” (50 mm, 100 mm) in kvadratne rezine 10×10 ali 10×5 mm.Vsaka velikost in specifikacija po meri je popolna rešitev za naše stranke po vsem svetu.

št.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	oblika	Krožna	Krožna	kvadrat
2	Velikost	2"	4"	--
3	Premer mm	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Stranska dolžina mm	--	--	10x10 ali 10x5
5	Metoda rasti	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientacija	C-ravnina (0001)	C-ravnina (0001)	C-ravnina (0001)
7	Vrsta prevodnosti	N-tip/dopiran s silijem, nedopiran, polizolacijski
8	Upornost Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Debelina μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm maks	15	15	15
11	Lok μm maks	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Površinska obdelava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Površinska hrapavost	Spredaj: ≤0,2 nm, zadaj: 0,5–1,5 μm ali ≤0,2 nm
15	Pakiranje	Enojna posoda za rezine, zaprta v aluminijasto vrečko.

Linearna formula	GaN
Molekularna teža	83,73
Kristalna struktura	Cinkova mešanica/Wurtzit
Videz	Prosojna trdna snov
Tališče	2500 °C
Vrelišče	N/A
Gostota pri 300K	6,15 g/cm³
Energijska vrzel	(3,2-3,29) eV pri 300K
Notranja upornost	>1E8 Ω-cm
Številka CAS	25617-97-4
Številka ES	247-129-0

Galijev nitrid GaNje primeren za proizvodnjo najsodobnejših visokohitrostnih in zmogljivih svetlečih diod LED, laserskih in optoelektronskih naprav, kot so zeleni in modri laserji, tranzistorjev z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT) ter izdelkov z visoko močjo in visoko močjo. predelovalna industrija temperaturnih naprav.