CZ Silicon Wafer

Opis

CZ monokristalna silicijeva rezina je izrezan iz monokristalnega silicijevega ingota, vlečenega z rastno metodo Czochralski CZ, ki se najpogosteje uporablja za rast silicijevih kristalov velikih cilindričnih ingotov, ki se uporabljajo v elektronski industriji za izdelavo polprevodniških naprav.V tem procesu se tanko seme kristalnega silicija z natančnimi orientacijskimi tolerancami vnese v staljeno silicijevo kopel, katere temperatura je natančno nadzorovana.Zarodni kristal se počasi vleče navzgor iz taline z zelo nadzorovano hitrostjo, kristalno strjevanje atomov iz tekoče faze poteka na vmesniku, zarodni kristal in lonček se med tem postopkom odvzema vrtita v nasprotnih smereh, kar ustvarja velik en sam kristal. kristalni silicij s popolno kristalno strukturo semena.

Zahvaljujoč magnetnemu polju, uporabljenemu pri standardnem vlečenju ingota CZ, ima monokristalni silicij Czochralski MCZ, induciran z magnetnim poljem, sorazmerno nižjo koncentracijo nečistoč, nižjo raven kisika in dislokacijo ter enakomerno variacijo upornosti, ki se dobro obnese v elektronskih komponentah in napravah visoke tehnologije. izdelava v elektronski ali fotovoltaični industriji.

Dostava

CZ ali MCZ Single Crystal Silicon Wafer prevodnost n-tipa in p-tipa pri Western Minmetals (SC) Corporation je mogoče dostaviti v velikostih premera 2, 3, 4, 6, 8 in 12 palcev (50, 75, 100, 125, 150, 200 in 300 mm), usmerjenost <100>, <110>, <111> s površinsko obdelavo prekrite, jedkane in polirane v embalaži penaste škatle ali kasete s kartonsko škatlo zunaj.

Povprašajte zdaj

Podrobnosti

Oznake

Tehnična specifikacija

CZ Silicon Wafer

CZ monokristalna silicijeva rezina je osnovni material v proizvodnji integriranih vezij, diod, tranzistorjev, diskretnih komponent, ki se uporabljajo v vseh vrstah elektronske opreme in polprevodniških naprav, kot tudi substrat pri epitaksialni obdelavi, SOI substrat rezin ali izdelava polizolacijskih sestavljenih rezin, zlasti velikih Premeri 200 mm, 250 mm in 300 mm so optimalni za izdelavo ultra visoko integriranih naprav.Monokristalni silicij se v fotovoltaični industriji v velikih količinah uporablja tudi za sončne celice, katerih skoraj popolna kristalna struktura zagotavlja najvišjo učinkovitost pretvorbe svetlobe v električno energijo.

št.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Velikost	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Premer mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Prevodnost	P ali N ali brez dopinga
4	Orientacija	<100>, <110>, <111>
5	Debelina μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ali po potrebi
6	Upornost Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 itd.
7	RRV maks	8 %, 10 %, 12 %
8	Primarni ravnina/dolžina mm	Kot standard SEMI ali po potrebi
9	Sekundarna plošča/dolžina mm	Kot standard SEMI ali po potrebi
10	TTV μm maks	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm maks	30	30	30	30	30	30
12	Površinska obdelava	Izrez, L/L, P/E, P/P
13	Pakiranje	Škatla iz pene ali kaseta znotraj, kartonska škatla zunaj.

Simbol	Si
Atomsko število	14
Atomska teža	28.09
Kategorija elementa	Metaloid
Skupina, Pika, Blok	14, 3, str
Kristalna struktura	Diamant
barva	Temno siva
Tališče	1414°C, 1687,15 K
Vrelišče	3265°C, 3538,15 K
Gostota pri 300K	2,329 g/cm³
Notranja upornost	3,2E5 Ω-cm
Številka CAS	7440-21-3
Številka ES	231-130-8

CZ ali MCZ monokristalna silicijeva rezinaPrevodnost n-tipa in p-tipa pri Western Minmetals (SC) Corporation se lahko dostavi v velikostih premera 2, 3, 4, 6, 8 in 12 palcev (50, 75, 100, 125, 150, 200 in 300 mm), orientacija <100>, <110>, <111> s površinsko obdelavo kot izrezano, prekrito, jedkano in polirano v paketu iz penaste škatle ali kasete s kartonsko škatlo zunaj.