Indijev arzenid InAs

Opis

Kristal indijevega arzenida InAs je sestavljeni polprevodnik skupine III-V, sintetiziran z vsaj 6N 7N čistim indijevim in arzenovim elementom ter gojenim monokristalom po VGF ali postopku Czochralski (LEC) v tekočini, videz sive barve, kubični kristali s strukturo cinkove mešanice , tališče 942 °C.Pasovna vrzel indijevega arzenida je neposreden prehod, enak galijevemu arzenidu, prepovedana širina pasu pa je 0,45 eV (300 K).Kristal InAs ima visoko enakomernost električnih parametrov, konstantno mrežo, visoko mobilnost elektronov in nizko gostoto napak.Cilindrični kristal InAs, vzgojen z VGF ali LEC, je mogoče razrezati in izdelati v rezino, kot je izrezana, jedkana, polirana ali epitaksialno pripravljena za MBE ali MOCVD epitaksialno rast.

Aplikacije

Kristalne rezine iz indijevega arzenida so odličen substrat za izdelavo Hallovih naprav in senzorjev magnetnega polja zaradi svoje izjemne Hall mobilnosti, vendar z ozko energijsko vrzeljo, idealen material za konstrukcijo infrardečih detektorjev z območjem valovne dolžine 1–3,8 µm, ki se uporabljajo v aplikacijah z večjo močjo. pri sobni temperaturi, kot tudi infrardeči super rešetkasti laserji srednje valovne dolžine, izdelava naprav LED srednjega infrardečega spektra za obseg valovnih dolžin 2–14 μm.Poleg tega je InAs idealen substrat za nadaljnjo podporo heterogenih InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ali AlGaSb super rešetkaste strukture itd.

Povprašajte zdaj

Podrobnosti

Oznake

Tehnična specifikacija

Indijev arzenid

InAs

Kristalna rezina indijevega arzenidaje odličen substrat za izdelavo Hallovih naprav in senzorjev magnetnega polja zaradi svoje vrhunske mobilnosti v dvorani, vendar z ozko energijsko vrzeljo, idealen material za izdelavo infrardečih detektorjev z razponom valovne dolžine 1–3,8 µm, ki se uporabljajo v aplikacijah z večjo močjo pri sobni temperaturi, kot tudi infrardeči super rešetkasti laserji srednje valovne dolžine, izdelava naprav LED srednjega infrardečega spektra za razpon valovnih dolžin 2–14 μm.Poleg tega je InAs idealen substrat za nadaljnjo podporo heterogenih InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ali AlGaSb super rešetkastih struktur itd.

št.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Velikost	2"	3"	4"
2	Premer mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasti	LEC	LEC	LEC
4	Prevodnost	P-tip/dopiran Zn, N-tip/dopiran S, nedopiran
5	Orientacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debelina μm	500±25	600±25	800±25
7	Usmerjenost Ravno mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikacija Ploščat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilnost cm2/Vs	60-300, ≥2000 ali po potrebi
10	Koncentracija nosilca cm-3	(3-80)E17 ali ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Lok μm maks	10	10	10
13	Deformacija μm maks	15	15	15
14	Gostota dislokacij cm-2 max	1000	2000	5000
15	Površinska obdelava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakiranje	Enojna posoda za rezine, zaprta v aluminijasto vrečko.

Linearna formula	InAs
Molekularna teža	189,74
Kristalna struktura	Cinkova mešanica
Videz	Siva kristalinična trdna snov
Tališče	(936-942)°C
Vrelišče	N/A
Gostota pri 300K	5,67 g/cm3³
Energijska vrzel	0,354 eV
Notranja upornost	0,16 Ω-cm
Številka CAS	1303-11-3
Številka ES	215-115-3

Indijev arzenid InAspri Western Minmetals (SC) Corporation se lahko dobavijo kot polikristalne grudaste ali monokristalne rezine, jedkane, polirane ali epi-pripravljene v velikosti premera 2” 3” in 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) in p-tip, n-tip ali nedopirana prevodnost in <111> ali <100> usmerjenost.Prilagojena specifikacija je popolna rešitev za naše stranke po vsem svetu.